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電子器（qì）件所能承受靜電破壞的靜電電（diàn）壓是多（duō）少，相信（xìn）大家都不知道吧，下麵我們就一起來看看吧。
以下是一些（xiē）參考資料中給（gěi）出的數（shù）據：
器件類型 | 靜電破壞電壓(V) | 器件類型 | 靜電破壞電壓(V) |
VMoS | 30～1800 | OP-AMP | 190～2500 |
M0SFET | 100～200 | JEFT | 140～1000 |
GaAsFET | 100～300 | SCL | 680～1000 |
PROM | 100 | STTL | 300～2500 |
CMoS | 250～2000 | DTL | 380～7000 |
HMOS | 50～500 | 肖特基二極管 | 300～3000 |
E／DMOS | 200～1000 | 雙極型晶體管（guǎn） | 380～7000 |
ECL | 300～2500 | 石英壓電晶體 | ＜10000 |
從（cóng）上表可見大部分器件的靜（jìng）電破壞電壓都在（zài）幾百（bǎi）至幾千伏，而在幹燥的環境中人活（huó）動所（suǒ）產生的靜電可達幾千伏到幾萬伏。
要想（xiǎng）獲得某個元器件的所能能（néng）承受（shòu）的（de）靜電電壓要（yào）通過試驗才能測得（dé）。按照國內標（biāo）準，一般使用靜電放電敏感度測試儀：
電子元器件靜電敏（mǐn）感度（dù）的試驗主要用ESS-6008/ESS-6002半（bàn）導體靜電放電模擬試驗器，而用電子元器件組裝成組件（jiàn）、整機的電子設備靜電（diàn）試驗（yàn）則（zé）用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗器來做試驗。
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