1 概述(shù)
2 開關電源傳導騷擾
2.1 傳導發射的產生
開關電源的(de)傳導騷擾是通過電(diàn)源的輸(shū)入電(diàn)源線(xiàn)向外傳播(bō)的電磁幹擾。在開關電源輸(shū)入電源線中向外傳播的騷擾,既有差模騷擾、又有共模騷擾,共模騷擾比差模騷(sāo)擾產生更強的輻射騷擾。傳導騷擾的測試頻率範圍為(wéi)150KHz~30MHz,限值要求如下表1 所(suǒ)示:
在(zài)0.15MHz~1MHz 的頻率範圍內,騷(sāo)擾主要以共模的形式存在,在1MHz~10MHz 的頻率範圍內,騷擾的形式是差模和共模共(gòng)存(cún),在10MHz 以上,騷擾的形式主要以共(gòng)膜為(wéi)主。傳導發射的差模騷擾的產生主(zhǔ)要是由於開關管工作在開關(guān)狀態,當開關管開通時,流過電源線的電流線形上升(shēng),開關管關斷時電流突變為(wéi)0,因此流過電源線的電流為高頻的三角脈動電流,含有豐富的高頻諧波分(fèn)量,隨著頻率的升高,該諧波分量的幅度越來越小,因此差模騷擾隨頻率(lǜ)的升高而降低,另外,如下圖1 所示,由於電容C5 的存在,它與電感L3 組成低通濾波器,因(yīn)此,差模傳導騷擾主要存在低頻率段。
共模騷擾的產(chǎn)生主要原因是電源與大(dà)地(保護地)之間存在(zài)有分布電容,電路中(zhōng)方波電壓的高頻(pín)諧波分量通過分布電容(róng)傳入大地,與電源線構成回路,產生共模騷擾。
如上圖 1 所示,L、N 為電源輸入,C1、C2、C3、C4、C5、L1、L2 組成輸入EMI 濾波器,DB1 為整流橋(qiáo),L1、VD1、C6 和VT2 為功率因數矯正主電(diàn)路,VT2 為開關管,開關(guān)管的D 極與管子的散熱器相連,開關(guān)管安裝在散熱器上時,與散熱器之間(jiān)形成一個耦合電(diàn)容,如圖1 中的C7 所示,開關管VT2 工作在開關狀態,其D 極的(de)電壓為高頻方波,方波(bō)的頻率為開(kāi)關管的開關頻率,方波中的各次諧波就會通過耦合電(diàn)容、L、N 電源線構(gòu)成回路,產生(shēng)共模騷擾。電(diàn)源與大地的分布電(diàn)容(róng)比(bǐ)較分散,難以估算,但從上麵的圖1 來看,開關管VT2 的D 極與散熱器之間耦合電容的作用最大,在上麵的圖1 中(zhōng),從整流橋到電感L3 之(zhī)間的電壓為100Hz 的工頻(pín)波形,而從電感L3 到(dào)二極(jí)管VD1 和開(kāi)關管VT2D 極之間(jiān)的連線的電壓均為方波電壓,含有大量的高次諧波。其次電感L3 的影響也比較大,但L3 與機殼的距離比較(jiào)遠,分布電容比開關管和散熱(rè)器之間的耦合電容小的多,因此我(wǒ)們(men)主要考慮開關管與散熱器之間的耦合電容。
2.2 傳導騷擾的解決方法
2.2.1 EMI 濾波器
解決(jué)傳導騷(sāo)擾目前(qián)大都采用(yòng)無源濾波器,如(rú)上圖(tú) 1 中所示,C1、C2、C3、C4、C5、L1、L2 組成一個EMI 濾波器(qì),L1、L2 是兩個共模電感(gǎn),一(yī)般來說,在共模電感當中,含有20%左右的(de)差模電感,與電容C1、C2、C3 構成差模濾波器,C4、C5 是共模電容,與電感(gǎn)L1、L2 構成(chéng)共模濾波(bō)器。
共模電感量的計算:
假設開關管集電極的幹擾電壓在 400V 左右,轉換成dB(μV)為:
傳導發射測試設備內部的去耦網絡(luò)(LISN)內阻Zin 標準為50Ω。則耦(ǒu)合電容C7 與測試設備(bèi)去耦網絡的內阻Zin 對騷擾(rǎo)電平的衰減為:
則:如果不加EMI 濾波器時,電源輸出端口所測得(dé)的(de)騷擾電(diàn)平為:
表 1 中(zhōng)A 級電源端口(kǒu)傳導限值的要求為79 dB(μV),顯然大大超過了(le)限製的要求。則需要濾波器在 150KHz 處的衰減為(wéi):
112-79=33 dB,考慮到至少有6dB 的裕量,EMI 濾波器的在150KHz 處的衰減應大於39dB,我們取40dB。二階(jiē)濾波器的衰減特性是-40dB/10 倍頻,在(zài)圖1 中有兩個二階濾波器,衰減特性是-80dB/10 倍頻,則濾(lǜ)波器(qì)的轉折頻率應在:47KHz 左右,考慮到其他因(yīn)素(sù)的影響,濾波器(qì)的轉折(shé)頻率取為40KHz。
共模電容 C4、C5 取4700P(考慮到(dào)漏電流的問題,不能取太大),則:C=C4+C5=9400P。
根據
計(jì)算得(dé):L=1.7mH
在設計EMI 濾波器的時候,為(wéi)了有效的抑(yì)製騷(sāo)擾信號的目的,必須對濾波器兩端將要連接的源阻抗進行合(hé)理的搭(dā)配,當濾波器(qì)的輸出(chū)阻抗Zo 和負載阻抗RL 不相等時,在這個端口會產生,反(fǎn)射係數ρ由(yóu)下式來定義:
當 Zo 和RL 相差越大,端口產生的反射越大。
EMI 濾波器中的(de)共模電感含有20%左(zuǒ)右的差模電感,與X2 電容構成差模濾波器(qì),在上(shàng)麵的原(yuán)理圖中,X2 電容C1、C2、C3 對傳導騷擾的低頻(pín)端影響比較大,主(zhǔ)要原因是因為在低(dī)頻段,騷擾的方(fāng)式主要以差模的方式存(cún)在,增大C1、C2、C3,可以減小低頻段的騷擾電(diàn)平,但取值一般不超過(guò)0.47~2.2μF,如果適(shì)當增大電容,低頻(pín)段仍然超標,可以(yǐ)增加(jiā)差模電(diàn)感來解決。
2.2.2 其他方法
EMI 濾(lǜ)波器是采用切斷傳播途徑的方法來減小傳導發射的(de)騷(sāo)擾電平,另外我們也可以從發(fā)射的源來著(zhe)手,減小發(fā)射源向(xiàng)外發射的電平。
1:如下圖(tú)2 所示:
圖2 中,在(zài)PFC 升壓電感上增加一個輔(fǔ)助繞組,該繞組的匝數與主繞(rào)組相同,方向與(yǔ)主繞組相反,C7 是開關管與散熱器(qì)之間的耦合電容,如圖所示增加一個與(yǔ)C7 容量大致相(xiàng)同的一個電(diàn)容接到散熱器與輔助(zhù)繞(rào)組之間,這(zhè)樣C7、C8 耦合到(dào)散熱器的騷擾信號幅度相同,方向相反,兩(liǎng)個信號剛好(hǎo)可以相互抵消,大大減小向(xiàng)外發(fā)射(shè)的騷(sāo)擾電平。
2:如下圖3 所示:
在圖3 中,增加(jiā)一個高頻(pín)電容C8,接在開關管散熱器與輸出地之間(jiān),該電容與散熱器的連接處離開(kāi)關管越近越好,該電容選用安(ān)規電(diàn)容,容量在4700P 到0.01μf 之間,太大會使電源的(de)漏電流超標(biāo),經過電容C7 耦合到散熱器上的騷擾信號(hào)經過C8 衰減,衰減的係數為
由於 C8 比C7 大許多,上式可以(yǐ)簡化(huà)為:
可見,假設 C7 為30P,C8 為4700P,則向外發射的騷擾信號(hào)被衰減了157 倍,近45dB。
3 開關電源的(de)輻射騷擾
3.1 輻(fú)射騷擾的空(kōng)間傳輸
1. 遠場和(hé)近場
電磁能(néng)量以場的形式向四周傳播,就形(xíng)成了輻射騷擾(rǎo),場(chǎng)可以分為近場(chǎng)、和遠場,近場又稱為感應場,它的性質與場源有密(mì)切的關係,如果場源是高(gāo)電壓小(xiǎo)電流的源,則(zé)近場主要是電場,如果場源是低壓大(dà)電流,則場(chǎng)源主要是磁場。無論近場是磁場或(huò)是電場,當離場源的(de)距離大於λ/2π時,均變成遠場,又稱為輻射場。
由於開關電源工作在高(gāo)電壓,大電流的狀態下(xià),近場即有電場,又有磁場。
2. 騷擾的輻射方式
● 單點輻射,主要模擬各相同性(xìng)的較小的輻射源,輻射的強(qiáng)度可表示為:
式中,P 表示發射的功(gōng)率,r 表示離發射源的距離。可見(jiàn),單點(diǎn)輻射強度與距離成反比,與發射源的功率的平方根成正比。
● 平行雙線環路(lù)的輻射
主要模擬差模電流回路的輻射源,其輻射強(qiáng)度可以表示為(wéi):
式中 A 為(wéi)差模電流所包圍的麵積,I 是差模電流的大小,r 是離輻射源的距離,λ是波長。可見差模輻射強度(dù)與差模電流的大小和差模電(diàn)流所包圍的麵(miàn)積成正比,與距離成反比,與頻率的平方成正比。
因此應在高頻噪聲源處加高頻去耦電容,以免高頻噪聲流入電源回路中。
● 單導線的輻射
單導線的輻射公式可以用來估算共模電流(liú)產生的輻射的大小:
式中,I 是共模電流的(de)大小,r 是到共模電流源的距離, l 是導(dǎo)線的長度(dù),λ是波(bō)長。
3. 共模電流輻射(shè)
兩根相近的導線,如果流過差模電流,則導線產生的電磁場由於方向相反(fǎn),大小(xiǎo)相等而相互抵消,但如果流過共模電流,時兩根導線產生(shēng)的電磁場相互疊加。因此大小(xiǎo)相同的共(gòng)模電流所產生的空間輻射要比(bǐ)差模電流產(chǎn)生的空間輻射強度大(dà)的多,根據實驗,兩者的輻射(shè)強度相差上千倍。所以,開關電源的輻射主要是由共模電(diàn)流引起的(de)。
● 共模(mó)電流(liú)輻射的基本模式
共模輻射有兩(liǎng)種驅(qū)動模式,一(yī)種是電流驅動模式,一種是電壓驅動模式(shì),在開(kāi)關電源中,起(qǐ)主要作用的主要是電壓驅動模(mó)式。
● 產生共模輻射的條件
產生共模輻射的條件有兩個,一是(shì)共(gòng)模驅動源,一個是共模天線。
任何兩個金屬體之間存在射頻電位差,就構成一副不對稱(chēng)振子天線,兩個(gè)金屬(shǔ)導體分
別是天線的兩個極,對於一個開關(guān)電源來說,如下圖所示:
圖4 中C7 是(shì)開關管和散熱器之間(jiān)的耦合電容(róng),散熱器和與開關管D 極(jí)相連接的印製線為天線的兩個極,在(zài)分析時可以簡化為下(xià)圖5:
圖(tú)中,Vs 為騷擾源,對圖4 來說,就是開關管VT2 的D 極(jí),L1、L2 相當於天線的兩個(gè)極,一個極是(shì)與開關管D 極相連的印製線,另外一個極是(shì)散熱器及(jí)與之相連的接地線,C是天線兩極之間的耦(ǒu)合電容(róng),即圖4 中開關管與散熱器之間(jiān)的耦合電容。
共模輻射(shè)主要有天線上的共模電(diàn)流的大小決定,因此(cǐ),天線兩極 L1、L2 之間(jiān)的耦合電容越大,輻射功率越大。
另外,當天線的(de)兩個極的總長(zhǎng)度大於λ/20時,才能向外輻射能量,並且(qiě)當天線的(de)長(zhǎng)度與騷擾源的波長滿足下列條件時,輻射能量才最大。
3.2 開關(guān)電源(yuán)的輻射源
要解決和減小開關電源的電磁輻射,首先要了解開關電源的輻射源在那兒。對於一個前級帶有PFC 功率因數矯正電路的開關電源來說,輻射騷擾的源(yuán)主要分(fèn)布下麵幾個地方(開關電源中(zhōng)的(de)輻射源例如驅動等,相對於下麵所列的要弱的多,所以可以不與考慮)。
1. PFC 開關管(guǎn)
2. PFC 升壓二(èr)極管
3. DC/DC 開關管
4. DC/DC 的整流(liú)管、續流管
5. PFC 升壓電(diàn)感
6. DC/DC 變壓器
● PFC 開關管和(hé)DC/DC 開關管的輻射原理如上(shàng)麵所述,屬於電壓驅動(dòng)模式(shì)的驅動源,升壓電感和變壓器屬於差模(mó)騷擾源,主要原(yuán)因是漏感的存在,導致電磁能量(liàng)泄露,向外發(fā)射電磁能量。
● PFC 升壓二極管和DC/DC 的整(zhěng)流二極管在(zài)反向截止時,存在反向恢(huī)複電流,如下圖所示:
圖中所示(shì)的是實際測試的PFC 升壓二極管關斷瞬間的反向恢複電(diàn)流(不加吸收(shōu)的情況下),在圖4 中,該反向恢複電流主要通過C6、VD1、VT2 構成回路,形成差模輻射,另外,由(yóu)於由(yóu)於(yú)引線電感的存在,很小一(yī)部分(fèn)的電流會(huì)通過散熱(rè)器與開關管(guǎn)VT2 之間的(de)耦合電容C7 向外流,形成共模輻射。
DC/DC 的整流二極管和續流管的反向恢複電(diàn)流會導致二極管的反向電壓出現很高的電壓尖(jiān)峰,下圖 7 是正激電路的輸出濾波電路。
圖7 中(zhōng),TI 是變壓器,VD1、VD2 分別是整流管和續(xù)流(liú)管(guǎn),由於整(zhěng)流管、續流管在由導通轉向截止時有反(fǎn)向恢複電流,該反向恢(huī)複電流在VD1、VD2 兩(liǎng)端產生比較(jiào)高的(de)電(diàn)壓峰值,由於快恢複二極管的(de)反向恢(huī)複電流在幾十nS,所以(yǐ)峰值電壓的(de)頻率較高,其基波頻率在幾十(shí)MHz,由於頻率很高,輻射(shè)能(néng)力很(hěn)強,下圖8 是整流管和續流管的電壓波形(xíng)。
在上圖7 中(zhōng),整流管、續流管固定在(zài)散(sàn)熱器上,散熱(rè)器接大地,由於二極(jí)管的陰(yīn)極與管殼的散熱(rè)板(bǎn)直接相連,管(guǎn)殼的散(sàn)熱(rè)板與散熱(rè)器之間就形成了耦合電(diàn)容,整流管(guǎn)、續流管在截(jié)止時產生的高壓尖峰就通過(guò)耦合電容流動,產生共模(mó)輻射(shè),輸出線和地分別是天線的兩個極。
●開(kāi)關電源其他的輻射源如印製線與機殼之間分布電容(róng)引起的共模輻射、內部電路工作時產生的差模輻射等,與前麵的幾個輻射源相比要(yào)小得多。
3.3 輻射騷擾的(de)解決措施
上麵分(fèn)析了輻射騷擾(rǎo)產生的原(yuán)因和開關電源的輻射源,再解決開關電源的輻射問題就(jiù)比(bǐ)較容易(yì)了。
3.3.1 開關管發射源引起的輻射發射(shè)
上麵所介(jiè)紹的輸入端口的(de)傳導騷擾,是通過輸入線向外發射的(de),同時(shí),輸(shū)入線又是(shì)一個天線,共模電流在流過輸入線的時候,就會向空間發射電磁能量,產生輻射騷擾,因(yīn)此對於(yú)上麵解決傳導發射的措施,在減小了傳導發射的同時,也大(dà)大減小了輸入端口的(de)輻射發射。
對於輻射源 DC/DC 開關管,也可以采取與PFC 開(kāi)關管的相同的措施,來減小驅動源的電壓(yā)幅度,較小輻射發(fā)射的強度(dù)。
下麵圖 9 是采取在PFC 開關管散熱器對PFC 輸(shū)出地加電容與不加電容輻射(shè)強度的對比(bǐ)。
圖中,前麵是加電容的,後麵(miàn)是不加電容的,從兩個圖中可以看出,在50MHZ 附近,輻射騷擾電(diàn)平在加了電容(róng)以後降低了盡10DB,在120MHZ 到220MHZ 的頻率範圍內也降低了10DB 左右。
3.3.2 DC/DC 整流管、續流管發射(shè)源
對於 DC/DC 整流管、續(xù)流管發射源,除(chú)了增加吸收,減小二極管兩端的峰值電壓、在二極(jí)管的管腳上套飽和磁環(huán)以減小反向恢複電流外,還可(kě)以采取以下措施。
1. 在整流管、續流管與散熱器的接觸點附近(jìn)對輸出地(dì)接電容,如下圖(tú) 10 所示:
圖中(zhōng)C2 是二極管VD1 和VD2 與散熱器之間的耦合電容,容量一般在幾十PF,C3 是增加的電容,C3 要遠大於C2,DC/DC 整流管(guǎn)、續流管上的電壓峰值(zhí)經過C2 與(yǔ)C3 的分壓,幅度大大降低(dī),就可(kě)以大大減小向外的輻射。
2. 采用如下圖(tú) 11 所示的電(diàn)路形式。
在上圖的電路形式(shì)中,將輸出濾波電感放在輸(shū)出的負端,VD1、VD2 的輸出直接接在輸出濾波電容的正端,這樣,整流管、續流管的陰極接固(gù)定電平(píng),通過陰(yīn)極連接的散熱麵與散(sàn)熱(rè)器之間的(de)耦合電容向外流動的共模電流就會大大減小,從而大大減小輸出(chū)端口的輻射電平。
3.3.3 機箱屏蔽
開關電源的輻射除了上述的輻射源主要(yào)通過(guò)輸入輸出端口向外(wài)輻射以外,電源的控製電路、驅動、輔助電(diàn)源、變壓器、電感等直接向空間輻射電磁能量,因(yīn)此(cǐ)需要采用機箱進行屏蔽,機箱屏蔽要(yào)考(kǎo)慮機箱的材料、厚度(dù)和孔縫對屏蔽效能的影響。
1.吸收損耗
當電磁波進入金屬屏蔽體後會產生感應電流,變為熱能而消耗掉,所以電磁波(bō)進入金屬導體中(zhōng)以指數的方式很快衰減,傳輸距離很短。
我們將(jiāng)電磁波(bō)衰減到(dào)原來 1/e,即0.37 倍時的距離稱為集膚深度δ
集膚深度δ與材料的性能和頻率有關,可用下麵的公式表示:
公式中,μ是材料的磁導率,σ是材料的電導率。
2. 反射損耗
當電磁波到達兩種介質表麵時,因阻抗不匹配而(ér)發生反(fǎn)射,所引起的電磁波(bō)能量損耗稱(chēng)為反射損耗。
輻射騷擾所測試的頻率範圍是 30MHz~1000MHz。如果單純的隻考慮30MHz 以上的電磁(cí)屏蔽(bì),薄薄一層的導體就可(kě)以(yǐ)達到很高(gāo)的屏蔽效能,但對於頻率比較低的(de)電場(chǎng)或磁場,就要考慮屏蔽所(suǒ)使用的材料和厚度了。
3. 孔(kǒng)縫對屏蔽的影響(xiǎng)
在實際的應用(yòng)當中,機箱上總是存在有接線孔、通風孔以及機(jī)箱各麵之間的連接縫隙,如果機箱(xiāng)的孔縫尺寸不合理,將使屏蔽效能大(dà)大降低,一(yī)般來說,孔(kǒng)縫的尺寸應小於十分之(zhī)一到百分之一的波長,才能達到相應的屏蔽效(xiào)果(guǒ)。如果上(shàng)限頻率按1000MHz 來(lái)考慮,孔縫的尺寸應小於:3~0.3cm。由於開關電源的電磁輻射頻率範圍一般在30MHz 到500MHz 之間,屏蔽的上限頻率可以按500MHz 來考慮。
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